75 Jahre Transistor – ohne dieses Bauelement wäre unser jetziges Leben undenkbar!

Der allgemeine Öffnungstag im Monat November:
Dienstag, der 28. November 2023,
Öffnungszeit von 14 bis 17 Uhr (begonnene Führungen bis 18 Uhr),
Im Mittelpunkt steht: „Der Transistor wird 75 Jahre alt“.

Im Jahr 1948 entwickelte John Barden (Abt. Physik Bell Laboratorium) die Theorie für Halbleiterverstärker. Dr. Walter Brattain entwickelte die technische Lösung, die der Spitzentransistor als erste Bauform darstellte. In Deutschland wurde diese Entwicklung Ende 1948 in der „Funktechnik“ bekannt gemacht. Bereits damals war den Internen klar, dass dieses Bauteil der Röhre Konkurrenz machen wird.
Die Vorteile:
- kleine Abmessungen, geringes Gewicht
- nahezu unzerbrechlich
- kleine Betriebsspannungen
 - hoher Gesamtwirkungsgrad, lange Lebensdauer

Zu Anfang konnten nur Leistungen im mW-Bereich und nur bei relativ niedrigen Frequenzen erreicht werden. Es folgten Flächentransistoren, diffusionslegierte Transistoren, Mesa-Transistoren, Planar- und Epitaxial-Planartransistoren, damit wurden fast alle Forderungen erfüllt.
Die Nachteile:
 - keine leistungslose Steuerung
- Temperaturabhängigkeit, max. 70°C bei 200°C Si

Serienmäßig gefertigte Transistoren sind nicht über 200 W gebaut worden.